不銹鋼管進(jìn)行超聲波探傷前需要做一些準(zhǔn)備工作，首先根據(jù)待測(cè)件結(jié)構(gòu)、檢測(cè)要求、現(xiàn)場(chǎng)條件等因素來選擇儀器、探頭、試塊，然后調(diào)節(jié)儀器并確定檢測(cè)靈敏度，測(cè)定表面耦合損耗與補(bǔ)償，選定耦合劑、掃查方式，之后才可以開始對(duì)待測(cè)件進(jìn)行缺陷的測(cè)定、記錄、等級(jí)評(píng)定，最后對(duì)儀器和探頭系統(tǒng)復(fù)核。
1. 檢測(cè)面的選擇和準(zhǔn)備
不銹鋼管超聲波探傷通常是針對(duì)某一特定待測(cè)鋼管進(jìn)行檢測(cè)，因此首先就要考慮缺陷的最大可能取向。如果缺陷的主反射面與待測(cè)件的某一規(guī)則面近似平行，則使用從該規(guī)則面入射的垂直縱波，使聲束軸線與缺陷的主反射面近乎垂直，對(duì)探傷是最為有利的。缺陷的最大可能取向要根據(jù)待測(cè)件的材料、坡口形式、焊接工藝等因素綜合分析。
多數(shù)情況下，待測(cè)不銹鋼管上可供放置探頭的平面或規(guī)則圓周面是有限的，因此，檢測(cè)面的選擇要和檢測(cè)技術(shù)的選擇結(jié)合起來考量。例如，對(duì)鍛件中冶金缺陷的檢測(cè)，由于缺陷大多平行于鍛造表面，通常采用縱波垂直入射檢測(cè)，檢測(cè)面可選為與鍛件流線相平行的表面。對(duì)于棒材的檢測(cè)，可能的入射面只有圓周面，采用縱波檢測(cè)可以檢出位于棒材中心區(qū)域的、延伸方向與棒材軸向平行的缺陷，若要檢測(cè)位于棒材表面附近垂直表面的裂紋，或沿圓周延伸的缺陷，由于檢測(cè)面仍是圓周面，所以仍需采用聲束斜入射到周向。
有些情況下，需要從多個(gè)檢測(cè)面人射進(jìn)行檢測(cè)。如：變形過程使缺陷有多種取向時(shí)；單面檢測(cè)存在盲區(qū)，而另一面檢測(cè)可以補(bǔ)償時(shí)；單面的靈敏度無法在整個(gè)待測(cè)件厚度尺寸內(nèi)達(dá)到時(shí)等情況。
為了確保檢測(cè)面能有較好的聲耦合，在檢測(cè)之前應(yīng)對(duì)待測(cè)件表面進(jìn)行目視檢查，清除油污、銹蝕、毛刺等，條件允許時(shí)可對(duì)表面探頭移動(dòng)區(qū)域進(jìn)行打磨。
2. 儀器的選擇
超聲波檢測(cè)儀是超聲波探傷的主要設(shè)備，當(dāng)前國(guó)內(nèi)外檢測(cè)儀器種類繁多，適用情況也大不相同，所以根據(jù)不銹鋼管探傷需要和現(xiàn)場(chǎng)情況來選擇檢測(cè)儀器。一般根據(jù)以下幾種情況來選擇儀器：
a. 對(duì)于定位要求高的情況，應(yīng)選擇水平線性誤差小的儀器。
b. 對(duì)于定量要求高的情況，應(yīng)選擇垂直線性好，衰減器精度高的儀器。
c. 對(duì)于大型零件的檢測(cè)，應(yīng)選擇靈敏度余量高、信噪比好、功率大的儀器。
d. 為了有效地發(fā)現(xiàn)近表面缺陷和區(qū)分相鄰缺陷，應(yīng)選擇盲區(qū)小、分辨力好的儀器。
e. 對(duì)于室外現(xiàn)場(chǎng)檢測(cè)，應(yīng)選擇重量輕、熒光屏亮度好、抗干擾能力強(qiáng)的攜帶式儀器。
此外要求選擇性能穩(wěn)定、重復(fù)性好和可靠性好的儀器。
3. 探頭的選擇
不銹鋼管超聲檢測(cè)中，超聲波的發(fā)射和接收都是通過探頭來實(shí)現(xiàn)的。在檢測(cè)前應(yīng)根據(jù)被測(cè)對(duì)象的外觀、聲學(xué)特點(diǎn)、材質(zhì)等來選擇探頭，選擇參數(shù)包括探頭種類、中心頻率、帶寬、晶片大小、斜探頭K值大小等。
a. 探頭類型的選擇
常用的探頭有縱波直探頭、縱波斜探頭、橫波斜探頭、表面波探頭、雙晶探頭、聚焦探頭等，一般根據(jù)待測(cè)件的外觀和易出現(xiàn)缺陷的區(qū)域、取向等情況來選擇探頭的類型，盡可能使聲束軸線同缺陷角度接近90°。
縱波直探頭發(fā)射、接收縱波，聲束軸線與探測(cè)面角度在90°左右。多用在尋找與面近乎平行的瑕疵。
縱波斜探頭在待測(cè)件中既有縱波也有橫波，但由于縱波和橫波的速度不同加以識(shí)別。主要用于尋找與探測(cè)面垂直或成一定角度的缺陷。
橫波斜探頭是通過波型轉(zhuǎn)換實(shí)現(xiàn)橫波檢測(cè)的。主要用于尋找與探測(cè)面垂直或成一定角度的缺陷。
表面波探頭用于尋找待測(cè)件表面缺陷，雙晶探頭用于尋找待測(cè)件近表面缺陷，聚焦探頭用于水浸式檢測(cè)管材或板材。
b. 探測(cè)原理的選擇
按檢測(cè)原理來分類，超聲探傷方法有脈沖反射法、穿透法、共振法和TOFD法等。本書主要介紹脈沖反射法。脈沖反射法又包括缺陷回波法、底波高度法和多次底波法等。
缺陷回波法通過探傷儀顯示屏中的波形判斷是否存在缺陷，其基本原理如圖2.19所示。當(dāng)待測(cè)件完好時(shí)，聲波可直接到達(dá)待測(cè)件底部，波形信號(hào)只有初始脈沖T和底部回波B,若存在瑕疵，缺陷回波F就會(huì)在初始脈沖T和底部回波B之間出現(xiàn)。
底波高度法是指當(dāng)待測(cè)件的材料和厚薄固定時(shí)，底部回波幅值維持不變，如果待測(cè)件內(nèi)有瑕疵，底部回波幅值會(huì)減弱甚至消失，基于此判斷待測(cè)件內(nèi)部情況，如圖2.20所示。底波高度法的特點(diǎn)是相同投影大小的缺陷可以取得到相同的指示，但是需要待測(cè)件的探測(cè)面與底部平行。底波高度法缺點(diǎn)同樣明顯，其檢出瑕疵的靈敏度不夠好，對(duì)缺陷定位定量也不方便。因此實(shí)際檢測(cè)中很少作為一種獨(dú)立的檢測(cè)方法，多是作為一種輔助手段，配合缺陷回波法發(fā)現(xiàn)某些傾斜的、小而密集的缺陷。
多層底波法是基于多次底面回波的變化來判斷待測(cè)件內(nèi)是否有瑕疵。當(dāng)待測(cè)件較薄，聲波能量比較強(qiáng)時(shí)，聲波會(huì)在探測(cè)面和底面之間來回多次往復(fù)，在探傷儀顯示屏中就會(huì)有多次底波B1、B2、B3、···.如果待測(cè)件內(nèi)部存在有缺陷，由于缺陷的反射、散射等會(huì)損耗部分聲波能量，底面回波次數(shù)也會(huì)減少，同時(shí)還會(huì)擾亂待測(cè)件完好情況下底面回波高度依次衰減的現(xiàn)象，并顯示出缺陷回波，如圖2.21所示。
c. 探頭頻率的選擇
超聲波探傷頻率通常在0.5~10 MHz范圍內(nèi)，實(shí)際選擇時(shí)要考慮以下因素：
①. 超聲波檢測(cè)的靈敏度約為介質(zhì)中聲波自身波長(zhǎng)長(zhǎng)度的1/2，所以較高的頻率有助于檢測(cè)人員發(fā)現(xiàn)更細(xì)微的缺陷，但另一方面，較高的頻率在待測(cè)件中聲波能量的衰減也會(huì)更快。
②. 探頭頻率越高，聲波的脈沖寬度越窄，對(duì)缺陷的分辨能力越高，有利于區(qū)分相鄰的缺陷。
③. 探頭頻率越高，聲波波長(zhǎng)越短，會(huì)使近場(chǎng)區(qū)范圍增大，不利于檢測(cè)。實(shí)際檢測(cè)中需要整體考量各種因素，選擇適當(dāng)頻率。通常情況下，檢測(cè)人員需要在確保較好的檢測(cè)靈敏度的前提條件下，盡量選擇頻率較低的探頭。
d. 探頭晶片尺寸的選擇
探頭矩形晶片尺寸通常不大于500m㎡,對(duì)于圓形晶片而言，其直徑通常不大于25mm,晶片大小對(duì)探傷效果也有較大影響。通常要考慮以下因素：
①. 由θ0 =arcsin 1.22 λ/D 可知，隨著晶片增大，θ0 就越小，波束指向性越好，聲波能量也更集中，對(duì)于聲束軸線附近的缺陷檢測(cè)有利。
②. 由N= D2/4λ 可知，隨著晶片增大，N與D2成正比也會(huì)跟著增大，是不利于實(shí)際探傷的。
③. 晶片尺寸越大，探頭所發(fā)出的能量也越大，未擴(kuò)散區(qū)掃查范圍也會(huì)增加，與此同時(shí)，遠(yuǎn)距離掃查范圍會(huì)減小，對(duì)遠(yuǎn)距離缺陷的檢測(cè)能力會(huì)提高。
所以，探頭晶片尺寸會(huì)影響到未擴(kuò)散區(qū)掃查范圍、遠(yuǎn)距離檢測(cè)能力、聲束指向性和近場(chǎng)區(qū)長(zhǎng)度等。在實(shí)際檢測(cè)中，如果檢測(cè)面積范圍較大，常選擇大面積的壓電晶片；如果檢測(cè)厚度較大，也常選用大面積晶片探頭以增強(qiáng)遠(yuǎn)距離缺陷探傷能力；如果是小型待測(cè)件，常選用小面積晶片提高定位精度；如果檢測(cè)區(qū)域表面較為粗糙，常選用小面積晶片來減少耦合時(shí)出現(xiàn)的損失。
e. 斜探頭折射角的選擇
對(duì)于斜探頭而言，折射角對(duì)檢測(cè)靈敏度、聲束軸線、一次波聲程等有較大制約。由K=tanβs 可知，K值越高，βs也越大，一次波聲程也越大。所以在探傷中，當(dāng)待測(cè)件較薄時(shí)，常選用K值較高的探頭，來提高一次波聲程，避免處于近場(chǎng)區(qū)檢測(cè)；當(dāng)待測(cè)件較厚時(shí)，選用較低的K值探頭，來減小由于聲程過大引起的衰減，有利于發(fā)現(xiàn)較遠(yuǎn)處的缺陷。
4. 耦合劑的選擇
聲學(xué)意義上的耦合是指聲波在兩個(gè)界面間的聲強(qiáng)透射能力。透射能力越高，意味著耦合效果越好，能量傳入待測(cè)件越強(qiáng)。為了提高耦合性能，通常在探頭與被檢測(cè)表面之間加入耦合劑。其目的是為了排除因待測(cè)面不平整而與探頭表面間接觸不好存在的空氣層，使聲波能量有效傳人待測(cè)件實(shí)施檢測(cè)，此外也有助于減小摩擦。
一般耦合劑需要滿足以下幾點(diǎn)要求：
a. 能保護(hù)好探頭表面和待測(cè)表面，流動(dòng)性、黏度和附著力大小適當(dāng)，易于清洗；
b. 聲阻抗高，透聲性能良好；
c. 來源廣，價(jià)格便宜；
d. 對(duì)待測(cè)件沒有腐蝕，對(duì)檢測(cè)人員沒有潛在危險(xiǎn)，對(duì)環(huán)境友好；
e. 性能穩(wěn)定，不易變質(zhì)，可長(zhǎng)期保存。
探傷用耦合劑多為甘油、水玻璃、水、機(jī)油和化學(xué)漿糊等。其中，甘油的聲阻抗高，耦合性能好，常用于一些重要待測(cè)件的精確檢測(cè)，但其價(jià)格較貴，而且對(duì)待測(cè)件有一定程度的腐蝕；水玻璃聲阻抗較高，常用于表面較為粗糙的待測(cè)件檢測(cè)，缺點(diǎn)是清洗起來不易，并且對(duì)待測(cè)件有一定程度的腐蝕；水來源廣，價(jià)格低，常用于水浸式檢測(cè)，但易流失，易使待測(cè)件生銹，需要對(duì)待測(cè)件及時(shí)吹干；機(jī)油黏度、附著力、流動(dòng)性大小適當(dāng)，對(duì)待測(cè)件沒有腐蝕，價(jià)格也易于接受，是現(xiàn)在實(shí)驗(yàn)室和實(shí)際探傷中最常用的耦合劑類型；化學(xué)漿糊耦合效果好，成本低，也常用于現(xiàn)場(chǎng)檢測(cè)。
此外，除了耦合劑自身的聲阻抗性能，影響耦合效果的還有探傷時(shí)耦合層的厚度、待測(cè)件表面的粗糙度、待測(cè)件表面形狀等。當(dāng)耦合層厚度為λ/4的奇數(shù)倍時(shí)，聲波透射弱，反射回波低，耦合效果不好，而厚度為λ/2的整數(shù)倍或很薄時(shí)，透射強(qiáng)，反射回波高，耦合效果好。待測(cè)件表面粗糙度越大，反射回波越低，耦合效果越差，一般要求表面粗糙度不高于6.3μm.由于探傷常用的探頭多數(shù)表面較為平整，因此待測(cè)件表面形狀也是平面時(shí)兩者耦合性能最優(yōu)，次之是凸弧面，凹弧面最差。
5. 表面耦合損耗的測(cè)定與補(bǔ)償
由于耦合過程中會(huì)出現(xiàn)一定損耗，為了對(duì)其進(jìn)行適當(dāng)?shù)难a(bǔ)償，需要先測(cè)出待測(cè)件與對(duì)比試塊表面損失的分貝差。即在其他條件都相同，除了表面耦合狀態(tài)不同的待測(cè)件和對(duì)比試件上測(cè)定兩者回波或是穿透波的分貝差。
一次波測(cè)定方法為：先制作兩塊材質(zhì)與待測(cè)件一致、表面狀況不一的對(duì)比試塊。其中一塊為對(duì)比試塊，表面粗糙度同試塊一樣，另一塊為待測(cè)試塊，表面狀態(tài)同待測(cè)件一樣。各自在相同深度對(duì)制作尺寸一致的長(zhǎng)橫孔，然后將探頭放在試塊上，測(cè)出兩者長(zhǎng)橫孔回波信號(hào)高度的分貝差，就是耦合的損耗差。
二次波測(cè)定時(shí)多選擇一發(fā)一收的一對(duì)探頭，通過穿透法測(cè)定兩者反射波高的分貝差。具體方法為：先用“衰減器”測(cè)定衰減的分貝差，把探頭放在試塊上調(diào)節(jié)好，然后再用“衰減器”測(cè)定增益的分貝差，即減少測(cè)定分貝差衰減量，此時(shí)試塊與待測(cè)件上同一反射體的回波波高一致，耦合損耗恰好得到補(bǔ)償。
6. 掃描速度的調(diào)節(jié)
掃描速度或時(shí)基掃描線比例是指探傷儀顯示屏中時(shí)基掃描線的水平刻度值τ與實(shí)際聲程x(單程）的比例關(guān)系，即τ : x=1 : n,類似于地圖上的比例尺。
掃描速度的增減通常需要根據(jù)探測(cè)范圍，利用尺寸已知的試塊或待測(cè)件上的兩次不同反射波的前沿，與相應(yīng)的水平刻度值分別對(duì)照來進(jìn)行。掃描速度的調(diào)節(jié)主要包括以下幾種：
a. 縱波掃描速度的調(diào)節(jié)
縱波檢測(cè)時(shí)通常根據(jù)縱波聲程來實(shí)現(xiàn)調(diào)節(jié)，具體需要首先將縱波探頭同厚度合適的平底面或曲底面對(duì)準(zhǔn)，使得兩次不同的底面回波與相應(yīng)的水平刻度值分別對(duì)準(zhǔn)。
b. 表面波掃描速度的調(diào)節(jié)
表面波檢測(cè)時(shí)與縱波檢測(cè)時(shí)的掃描速度調(diào)節(jié)方法類似，但是由于表面波無法在同一反射體達(dá)成多次反射，所以調(diào)節(jié)時(shí)要通過兩個(gè)不一樣的反射體形成的兩次反射波分別對(duì)準(zhǔn)相應(yīng)的水平刻度值來調(diào)節(jié)。
c. 橫波掃描速度的調(diào)節(jié)
使用橫波進(jìn)行探傷時(shí)，缺陷具體方位可通過折射角以及聲程來確定，亦可通過水平距離以及深度來確定。而橫波掃描速度的調(diào)節(jié)方法較多，有三種：
①. 聲程調(diào)節(jié)法，使屏幕上的水平刻度值同橫波聲程成比例，進(jìn)而直接顯示橫波聲程；
②. 水平調(diào)節(jié)法，使屏幕上的水平刻度值同反射體的水平距離成比例，進(jìn)而直接顯示反射體的水平投影距離，一般用于薄待測(cè)件橫波探傷；
③. 深度調(diào)節(jié)法，使屏幕上的水平刻度值同反射體的深度成比例，進(jìn)而直接顯示深度距離，多用在較厚待測(cè)件焊縫的橫波探傷。
7. 檢測(cè)靈敏度的調(diào)節(jié)
調(diào)節(jié)檢測(cè)靈敏度的目的是為了探測(cè)待測(cè)件中特定尺寸的缺陷，并對(duì)缺陷定量。靈敏度太高會(huì)使屏幕上的雜波變多、難以判斷，但是太低又容易引起漏檢，所以可經(jīng)由儀器上的“增益”“衰減器”“發(fā)射強(qiáng)度”等旋鈕來調(diào)整。調(diào)整方法有三種：試塊調(diào)整法、待測(cè)件底波調(diào)整法、AVG曲線法。
a. 試塊調(diào)整法
依據(jù)待測(cè)件對(duì)靈敏度的要求選用適當(dāng)?shù)脑噳K，把探頭對(duì)準(zhǔn)試塊定制尺寸的缺陷，調(diào)整靈敏度相關(guān)的旋鈕，使屏幕中的最高反射回波達(dá)到基準(zhǔn)波高，即調(diào)整完畢。
b. 待測(cè)件底波調(diào)整法
通過待測(cè)件底面回波來調(diào)節(jié)檢測(cè)靈敏度，待測(cè)件底面回波與同深度的人工缺陷回波的分貝差是一定值，這個(gè)定值可通過下式計(jì)算得出：
將探頭對(duì)準(zhǔn)待測(cè)件底面，儀器保留足夠余量，一般大于Δ+(6~10)dB,“抑制”調(diào)至“0”，調(diào)節(jié)儀器使底波B1達(dá)到基準(zhǔn)波高，然后增益ΔdB,這時(shí)就調(diào)好了。
c. AVG曲線法
AVG曲線是描述規(guī)則反射體的距離（A)、回波高度（V)與當(dāng)量尺寸（G)之間關(guān)系的曲線，A、V、G分別是德文的字頭縮寫，英文中縮寫為DGS.AVG曲線常利用待測(cè)件直接繪制，利用半波法配合“增益”等旋鈕重復(fù)即可獲得，極大地方便了野外檢測(cè)工作。
8. 實(shí)施掃查及缺陷判定
缺陷判定是超聲探傷中的主要任務(wù)之一，在常規(guī)檢測(cè)中主要分為縱波直探頭定位和橫波斜探頭定位兩種。
a. 縱波直探頭與橫波斜探頭對(duì)比
①. 使用縱波直探頭探傷時(shí)，缺陷的水平位置就是探頭所在位置，而缺陷的深度需要通過儀器的水平刻度來計(jì)算。如果儀器按τ:n調(diào)節(jié)掃描深度，發(fā)現(xiàn)缺陷波的水平刻度為τf，則缺陷深度xf，為xy=nτf。
②. 使用橫波斜探頭進(jìn)行探傷時(shí)，首次要考量相對(duì)于待測(cè)件的移動(dòng)方向、掃查路徑、探頭指向等。通常掃查時(shí)前后左右移動(dòng)探頭，而且通過左右掃動(dòng)可獲知缺陷的橫向范圍，固定點(diǎn)轉(zhuǎn)動(dòng)和繞固定點(diǎn)環(huán)繞有助于確定缺陷的取向、形狀。根據(jù)掃查方式的不同，常分為鋸齒形掃查和柵格掃查。
橫波斜入射檢測(cè)時(shí)對(duì)缺陷的判定包括缺陷水平和垂直距離以及缺陷大小評(píng)定。判定缺陷的水平和垂直距離時(shí)通常根據(jù)反射回波信號(hào)處于最大幅值時(shí)，在事先校正過的屏幕時(shí)基線上找到其回波的前沿，然后讀出聲程或者水平、垂直距離，最后根據(jù)探頭折射角推算獲得。通常認(rèn)為橫波斜人射方式獲得的缺陷數(shù)值存在一定偏差，因?yàn)榕c縱波直射法不同，斜入射的時(shí)基線上最大峰值的位置是在探頭移動(dòng)中確定的，其準(zhǔn)確度受聲束寬度影響，且多數(shù)缺陷的取向、形狀、最大反射部位也是不確定的。
綜上，一般僅僅使用橫波斜探頭判定缺陷的水平或垂直距離，不用具體數(shù)值，然后通過相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)一步判定缺陷等級(jí)即可。
對(duì)于缺陷具體尺寸的判定，檢測(cè)人員通過待測(cè)件缺陷處與對(duì)比反射體的回波波高兩者比值，以及缺陷的延伸長(zhǎng)度來判斷。使用斜入射的橫波來檢測(cè)具有平整表面的待測(cè)件時(shí)，聲束中心線會(huì)在界面處折射，所以可以通過折射角和聲程來判斷缺陷的尺寸。如前所述，通過聲程等參數(shù)可以調(diào)節(jié)掃描速度，所以對(duì)不同的待測(cè)件如平板、圓柱面等，或者檢測(cè)方法如一次波檢測(cè)、二次波檢測(cè)，相應(yīng)的缺陷尺寸計(jì)算方法也各有不同。通常，斜入射的折射角越小，即K值越小，那么所能夠檢測(cè)的待測(cè)件厚度就越大，檢測(cè)人員一般把能夠檢測(cè)的圓柱面待測(cè)件的內(nèi)外徑范圍指定在r/R≥80%。
b. 橫波斜探頭對(duì)缺陷定量方法
橫波斜探頭對(duì)缺陷的定量方法有當(dāng)量法、底面高度法和測(cè)長(zhǎng)法。
（1)當(dāng)量法
①. 當(dāng)量試塊比較法，就是把待測(cè)件中的缺陷回波與人工試塊的缺陷回波對(duì)比，進(jìn)而確定缺陷尺寸。顯然，這種方法結(jié)果直觀易懂，且可靠，但是對(duì)比過程中需要大量人工試塊，工作量大，所以使用范圍小，多用于極其重要的零件進(jìn)行準(zhǔn)確定量，或者小工件的近場(chǎng)區(qū)探傷；
②. 底面回波高度法，就是首先獲得缺陷回波的波高分貝值，然后根據(jù)規(guī)則反射體的聲學(xué)方程來推算缺陷尺寸，是一種較為常用的當(dāng)量方法；
③. 當(dāng)量AVG曲線法，就是通過通用的AVG曲線判斷待測(cè)件中的缺陷尺寸。
（2)底面高度法
不像當(dāng)量試塊比較法，不需要試塊，操作流程也簡(jiǎn)單易上手，只用缺陷波與底波的相對(duì)波形信號(hào)高度就能夠判斷缺陷的相對(duì)值，就是說得不到缺陷的準(zhǔn)確尺寸，所以使用范圍也局限于同條件下的缺陷對(duì)比或是對(duì)缺陷的密集程度進(jìn)行判斷。主要有三種：
①. 使用缺陷回波與缺陷處底波的波高比值F/BF來判斷缺陷，即F/BF法；
②. 使用缺陷回波與不存在缺陷處底波的波高比值F/BG來判斷缺陷，即F/BG法；
③. 使用缺陷處底波與不存在缺陷處底波的波高比值Bf/BG來判斷缺陷，即BG/Bf法。
（3)測(cè)長(zhǎng)法
通過缺陷回波高度和探頭檢測(cè)時(shí)的移動(dòng)距離判斷缺陷的大小。按照檢測(cè)時(shí)的靈敏度基準(zhǔn)分為三種：
①. 相對(duì)靈敏度法，檢測(cè)時(shí)探頭順著缺陷的長(zhǎng)度方向移動(dòng)，可以根據(jù)降低到一定程度的分貝值來判斷缺陷尺寸；
②. 絕對(duì)靈敏度法，檢測(cè)時(shí)探頭沿著缺陷的長(zhǎng)度方向左右移動(dòng)，在回波高度降低到制定高度時(shí)，根據(jù)探頭的移動(dòng)距離判斷缺陷尺寸；
③. 端點(diǎn)峰值法，檢測(cè)時(shí)如果發(fā)現(xiàn)缺陷回波的波高包絡(luò)線存在數(shù)個(gè)極大值點(diǎn)，可根據(jù)探頭在缺陷兩端回波的極大值點(diǎn)區(qū)間的移動(dòng)距離判斷缺陷尺寸。
9. 影響缺陷定位定量的因素
a. 儀器的影響
探傷儀的水平線性的優(yōu)劣會(huì)影響回波信號(hào)在屏幕上的水平刻度值，進(jìn)而影響對(duì)缺陷的推算，另外一旦屏幕的水平刻度分度不均勻，必然導(dǎo)致回波水平刻度值不準(zhǔn)確，導(dǎo)致缺陷定位的誤差。
b. 探頭的影響
①. 聲束偏離問題，理想的探頭應(yīng)該是與晶片幾何中心重合，但實(shí)際中常常存在一定偏差，若偏差較大，定位精度就會(huì)降低；
②. 聲場(chǎng)雙峰問題，正常探頭輻射的聲場(chǎng)只有一個(gè)主聲束，在遠(yuǎn)場(chǎng)區(qū)主聲束上聲壓最高，但是，有時(shí)由于探頭制造或使用的原因，可能存在兩個(gè)主聲束，導(dǎo)致發(fā)現(xiàn)缺陷時(shí)難以判定是哪個(gè)主聲束發(fā)現(xiàn)的，也就難以確定缺陷的實(shí)際位置；
③. 探頭指向性問題，探頭輻射的聲場(chǎng)半擴(kuò)散角小，指向性好，那么缺陷定位的誤差就??；
④. 探頭磨損問題，探頭的壓電晶片前通常會(huì)有一定厚度的楔塊，由于楔塊材質(zhì)多樣，如果檢測(cè)人員用力不當(dāng)，極易磨損楔塊，進(jìn)而影響入射點(diǎn)、折射角等參數(shù)，最終對(duì)缺陷的定位造成干擾。
c. 待測(cè)件的影響
①. 表面粗糙度問題，如前文所述，粗糙度會(huì)影響耦合性能，同時(shí)也會(huì)導(dǎo)致聲波進(jìn)入待測(cè)件的時(shí)間出現(xiàn)差別，可能導(dǎo)致互相干涉，影響定位；
②. 表面形狀問題，若是曲面待測(cè)件，點(diǎn)接觸或線接觸時(shí)如果把握不當(dāng)，折射角會(huì)發(fā)生變化；
③. 待測(cè)件材質(zhì)問題，材質(zhì)不同會(huì)影響待測(cè)件和試塊中的聲速，使K值發(fā)生變化，影響定位；
④. 待測(cè)件邊界問題，當(dāng)缺陷于待測(cè)件邊界靠近時(shí)，邊界對(duì)聲波的反射與人射的聲波在缺陷位置產(chǎn)生干涉，使聲束中心線偏移，導(dǎo)致缺陷定位上的誤差；
⑤. 待測(cè)件溫度問題，聲波在待測(cè)件中傳播速度會(huì)隨溫度變化，影響定位；
⑥. 待測(cè)件內(nèi)缺陷自身取向問題，當(dāng)缺陷角度與折射聲束存在一定角度時(shí)，可能出現(xiàn)擴(kuò)散波聲束入射到缺陷的回波信號(hào)較高，而定位時(shí)誤以為缺陷在軸線上，導(dǎo)致定位偏差。
d. 操作人員的影響
①. 時(shí)基線比例，對(duì)時(shí)基線比例進(jìn)行調(diào)整時(shí)，波的前沿未與相應(yīng)水平刻度對(duì)準(zhǔn)，導(dǎo)致缺陷定位出現(xiàn)誤差；
②. 入射點(diǎn)和K值，測(cè)定人射點(diǎn)和K值時(shí)有所偏差，影響缺陷定位；
③. 定位方法不當(dāng)，橫波周向探測(cè)圓柱形待測(cè)件時(shí)，若按平板待測(cè)件定位方式處理，也將增加缺陷定位誤差。
影響缺陷定量的因素同影響缺陷定位的因素有相當(dāng)多重合部分，如探頭的K值、晶片，待測(cè)件的形狀、表面狀態(tài)，耦合情況，缺陷的取向、位置等?？偠灾彩菚?huì)影響缺陷波高的因素都會(huì)影響缺陷的定量，具體判定時(shí)應(yīng)綜合各方面影響因素，結(jié)合具體情況仔細(xì)分析，以提高準(zhǔn)確性。
10. 檢測(cè)記錄和報(bào)告
記錄的目的是為待測(cè)件無損檢測(cè)質(zhì)量評(píng)定（編發(fā)檢測(cè)報(bào)告）提供書面依據(jù)，并提供質(zhì)量追蹤所需的原始資料。記錄的內(nèi)容應(yīng)盡可能全面，包括：送檢部門、送檢日期、檢測(cè)日期、被檢待測(cè)件名稱、圖號(hào)、零件號(hào)、爐批號(hào)、工序號(hào)及數(shù)量、所用規(guī)程或說明圖表的編號(hào)，任何反射波高超過規(guī)定質(zhì)量等級(jí)中相應(yīng)反射體波高的缺陷平面位置、埋藏深度、波高的相對(duì)分貝數(shù)，以及其他認(rèn)為有必要記錄的內(nèi)容。若規(guī)程中未詳細(xì)規(guī)定儀器和探頭的型號(hào)和編號(hào)、儀器調(diào)整參數(shù)及所用反射體的埋深等，則應(yīng)在記錄中詳細(xì)記錄這些內(nèi)容。記錄應(yīng)有檢測(cè)人員的簽字并編號(hào)保存，保存期限按有關(guān)部門的要求確定。
不銹鋼管超聲波探傷檢測(cè)報(bào)告可采用表格或文字?jǐn)⑹龅男问剑鋬?nèi)容至少應(yīng)包括：被檢待測(cè)件名稱、圖號(hào)及編號(hào)，檢測(cè)規(guī)程的編號(hào)，驗(yàn)收標(biāo)準(zhǔn)，超標(biāo)缺陷的位置、尺寸，評(píng)定結(jié)論等。報(bào)告中最重要的部分是評(píng)定結(jié)論，需根據(jù)顯示信號(hào)的情況和驗(yàn)收標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)定進(jìn)行評(píng)判。若出現(xiàn)難以判別的異常情況，應(yīng)在報(bào)告中注明并提請(qǐng)有關(guān)部門處理。
